Datasheet SQJ840EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 30 А, POPAK8L — Даташит

Купить SQJ840EP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 49 до 153 ₽ 19 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 30A 5Pin(4+Tab) PowerPAK SO T/R
ChipWorker Весь мир	SQJ840EP-T1_GE3 Vishay	52 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SQJ840EP-T1_GE3 Vishay	от 57 ₽	Купить
727GS Весь мир	SQJ840EP-T1-GE3 Vishay	от 115 ₽	Купить
Augswan Весь мир	SQJ840EP-T1_GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 30 А, POPAK8L

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQJ840EP
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 30 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On State Resistance: 0.0075 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Power Dissipation Pd: 46 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SQJ840EPT1GE3, SQJ840EP T1 GE3