Datasheet SQJ850EP-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 24 А, POPAK8L — Даташит

Купить SQJ850EP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 21 до 203 ₽ 31 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 24 А, 0.019 Ом, PowerPAK SO, Surface Mount
ChipWorker Весь мир	SQJ850EP-T1_GE3 Vishay	46 ₽	Купить
Lixinc Electronics Весь мир	SQJ850EP-T1-GE3 Vishay	от 115 ₽	Купить
727GS Весь мир	SQJ850EP-T1-GE3 Vishay	от 115 ₽	Купить
МосЧип Россия	SQJ850EP-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 24 А, POPAK8L

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQJ850EP
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 24 А
• Drain Source Voltage Vds: 60 В
• On State Resistance: 0.019 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Power Dissipation Pd: 45 Вт
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +175°C

• Корпус транзистора: PowerPAK SO
• Количество выводов: 8

RoHS: есть

Варианты написания:

SQJ850EPT1GE3, SQJ850EP T1 GE3