Datasheet SQM110N05-06L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 110 А, TO-263 — Даташит
Наименование модели: SQM110N05-06L-GE3
![]() 25 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SQM110N05-06L_GE3 Vishay | от 17 ₽ | ||
SQM110N05-06L-GE3 Vishay | 151 ₽ | ||
SQM110N05-06L_GE3 Vishay | от 241 ₽ | ||
SQM110N05-06L-GE3 Vishay | от 278 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 110 А, TO-263
Краткое содержание документа:
SQM110N05-06L
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 55 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 55 0.006 0.010 110 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 110 А
- Drain Source Voltage Vds: 55 В
- On State Resistance: 0.0047 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 157 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQM110N0506LGE3, SQM110N05 06L GE3