Datasheet SQM110N05-06L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 110 А, TO-263 — Даташит

Vishay SQM110N05-06L-GE3

Наименование модели: SQM110N05-06L-GE3

Купить SQM110N05-06L-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 175 до 12 054 ₽ 16 предложений от 9 поставщиков N-Channel 55 V 110A (Tc) 157W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
AiPCBA Весь мир	SQM110N05-06L-GE3 Vishay	175 ₽
ChipWorker Весь мир	SQM110N05-06L_GE3 Vishay	252 ₽
Acme Chip Весь мир	SQM110N05-06L-GE3 Vishay	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	SQM110N05-06L-GE3 Siliconix	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 55 В, 110 А, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQM110N05-06L
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 55 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 55 0.006 0.010 110 Single

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 110 А
Drain Source Voltage Vds: 55 В
On State Resistance: 0.0047 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Power Dissipation Pd: 157 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQM110N0506LGE3, SQM110N05 06L GE3