Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SQM40N10-30-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-263 — Даташит

Vishay SQM40N10-30-GE3

Наименование модели: SQM40N10-30-GE3

28 предложений от 13 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
727GS
Весь мир
SQM40N10-30_GE3
Vishay
от 55 ₽
AiPCBA
Весь мир
SQM40N10-30_GE3
Vishay
90 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
SQM40N10-30_GE3
от 131 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SQM40N10-30_GE3
173 ₽
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-263

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQM40N10-30
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 6.0 V ID (A) Configuration 100 0.030 0.034 40 Single

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On State Resistance: 0.023 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 107 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-263
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQM40N1030GE3, SQM40N10 30 GE3

На английском языке: Datasheet SQM40N10-30-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W DIODE, 100 V, 40 A, TO-263

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка