Datasheet SQM40N10-30-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-263 — Даташит

Vishay SQM40N10-30-GE3

Наименование модели: SQM40N10-30-GE3

Купить SQM40N10-30-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 104 до 15 137 ₽ 16 предложений от 9 поставщиков N-Channel 100 V 40A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount TO-263 (D²Pak)
AiPCBA Весь мир	SQM40N10-30_GE3 Vishay	104 ₽
Akcel Весь мир	SQM40N10-30_GE3 Vishay	от 166 ₽
T-electron Россия и страны СНГ	SQM40N1030_GE3	15 137 ₽
ТаймЧипс Россия	SQM40N10-30-GE3 Vishay	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 100 В, 40 А, TO-263

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQM40N10-30
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 100 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 6.0 V ID (A) Configuration 100 0.030 0.034 40 Single

Спецификации:

Полярность транзистора: N Channel
Continuous Drain Current Id: 40 А
Drain Source Voltage Vds: 100 В
On State Resistance: 0.023 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
Voltage Vgs Max: 20 В
Power Dissipation Pd: 107 Вт
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Корпус транзистора: TO-263
Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQM40N1030GE3, SQM40N10 30 GE3