Datasheet SQM85N03-06P-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 60 А, TO-263 — Даташит
Наименование модели: SQM85N03-06P-GE3
Compliant Surface Mount 6 ns 7 ns Unknown 6 mΩ 2 V TO-263-3 | |||
SQM85N03-06P-GE3-VB | 142 ₽ | ||
SQM85N03-06P-GE3 Vishay | по запросу | ||
SQM85N03-06P-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 60 А, TO-263
Краткое содержание документа:
SQM85N03-06P
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration 30 0.0060 0.0085 60 Single
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 60 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 0.0053 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 100 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-263
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQM85N0306PGE3, SQM85N03 06P GE3