Datasheet SQR50N03-06P-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 84 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: SQR50N03-06P-GE3
![]() 5 предложений от 5 поставщиков TRANSISTOR 84 A, 30 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, TO-252, DPAK-3, FET General Purpose... | |||
SQR50N03-06P-GE3 Vishay | 65 ₽ | ||
SQR50N03-06P-GE3 Vishay | 74 ₽ | ||
SQR50N03-06P-GE3-VB | 142 ₽ | ||
SQR50N03-06P-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 30 В, 84 А, DPAK
Краткое содержание документа:
SQR50N03-06P
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 30 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 84 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 0.0053 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 88 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQR50N0306PGE3, SQR50N03 06P GE3