Datasheet SQR50N06-07L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 50 А, DPAK — Даташит
Наименование модели: SQR50N06-07L-GE3
![]() 9 предложений от 6 поставщиков Труба MOS, VISHAY SQR50N06-07L-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 50A, 60V, 0.0064Ω, 10V, 2V | |||
SQR50N06-07L-GE3 Vishay | 70 ₽ | ||
SQR50N06-07L-GE3 Vishay | от 126 ₽ | ||
SQR50N06-07L-GE3 | по запросу | ||
SQR50N06-07L-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 50 А, DPAK
Краткое содержание документа:
SQR50N06-07L
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 50 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On State Resistance: 0.0064 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 136 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть
Варианты написания:
SQR50N0607LGE3, SQR50N06 07L GE3