Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet SQR50N06-07L-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 50 А, DPAK — Даташит

Vishay SQR50N06-07L-GE3

Наименование модели: SQR50N06-07L-GE3

AiPCBA
Весь мир
SQR50N06-07L-GE3
Vishay
174 ₽
ChipWorker
Весь мир
SQR50N06-07L-GE3
Vishay
178 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 60 В, 50 А, DPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SQR50N06-07L
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 60 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 50 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On State Resistance: 0.0064 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Power Dissipation Pd: 136 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +175°C

  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

Варианты написания:

SQR50N0607LGE3, SQR50N06 07L GE3

На английском языке: Datasheet SQR50N06-07L-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, W DIODE, 60 V, 50 A, DPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России