Datasheet SQS400EN-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 16 А, PP1212 — Даташит
Наименование модели: SQS400EN-T1-GE3
MOSFET N-CH 40V 16A TO263 | |||
SQS400EN-T1-GE3 Vishay | 62 ₽ | ||
SQS400EN-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, Вт диод, 40 В, 16 А, PP1212
Краткое содержание документа:
SQS400EN
Vishay Siliconix
Automotive N-Channel 40 V (D-S) 175 °C MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () at VGS = 10 V RDS(on) () at VGS = 4.5 V ID (A) Configuration
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 16 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On State Resistance: 0.013 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Power Dissipation Pd: 62.5 Вт
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
- Корпус транзистора: PowerPAK 1212
- Количество выводов: 8
RoHS: есть
Варианты написания:
SQS400ENT1GE3, SQS400EN T1 GE3