Datasheet SUD50N04-8M8P-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 50 А, TO-252 — Даташит
Наименование модели: SUD50N04-8M8P-GE3
![]() МОП-транзистор 40V 50A 48.1W 8.8mohm @ 10V | |||
SUD50N04-8M8P-GE3 Vishay | 40 ₽ | ||
SUD50N04-8M8P-GE3 Vishay | 56 ₽ | ||
SUD50N04-8M8P-GE3 Vishay | 63 ₽ | ||
SUD50N04-8M8P-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 50 А, TO-252
Краткое содержание документа:
SUD50N04-8m8P
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0088 at VGS = 10 V 0.0105 at VGS = 4.5 V ID (A)a 50 50 Qg (Typ.) 16 nC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On State Resistance: 6.9 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 14 А
- Power Dissipation Pd: 3.1 Вт
RoHS: Y-Ex
Дополнительные аксессуары:
- CHEMTRONICS - CW8400
- EREM - 00SA
- MULTICORE (SOLDER) - 698840
Варианты написания:
SUD50N048M8PGE3, SUD50N04 8M8P GE3