HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI1022R-T1-GE3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.33 А, SC-75A — Даташит

Vishay SI1022R-T1-GE3

Наименование модели: SI1022R-T1-GE3

23 предложений от 11 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 60 В, 330 мА, 1.25 Ом, SC-75A, Surface Mount
SI1022R-T1-GE3
Vishay
7.91 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI1022R-T1-GE3
Vishay
17 ₽
ЭИК
Россия
SI1022R-T1-GE3
Vishay
от 46 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI1022R-T1-GE3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 60 В, 0.33 А, SC-75A

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 330 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 1.25 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SC-75A
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • RoHS: да

Варианты написания:

SI1022RT1GE3, SI1022R T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI1022R-T1-GE3 - Vishay MOSFET, N CH, 60 V, 0.33 A, SC-75A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России