Datasheet SI2304BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 3.2 А, TO-236 — Даташит

Купить SI2304BDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 3.47 до 47 ₽ 31 предложений от 14 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 2,6А; Idm: 10А; 0,48Вт; SOT23
ChipWorker Весь мир	SI2304BDS-T1-GE3 Vishay	7.96 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI2304BDS-T1-GE3 Vishay	47 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SI2304BDS-T1-GE3	по запросу	Купить
Augswan Весь мир	SI2304BDS-T1-GE3 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 3.2 А, TO-236

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2304BDS
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.070 at VGS = 10 V 0.105 at VGS = 4.5 V ID (A) 3.2 2.6 Qg (Typ.) 2.6

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 3.2 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 0.105 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2304BDST1GE3, SI2304BDS T1 GE3