Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SI2306BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 4 А, TO-236 — Даташит

Vishay SI2306BDS-T1-GE3

Наименование модели: SI2306BDS-T1-GE3

27 предложений от 11 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics
Весь мир
SI2306BDS-T1-GE3
от 5.57 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI2306BDS-T1-GE3
Vishay
30 ₽
Maybo
Весь мир
SI2306BDS-T1-GE3
Vishay
46 ₽
SI2306BDS-T1-GE3
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 4 А, TO-236

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 65 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2306BDST1GE3, SI2306BDS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2306BDS-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 30 V, 4 A, TO-236

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка