Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SI2306BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 4 А, TO-236 — Даташит

Vishay SI2306BDS-T1-GE3

Наименование модели: SI2306BDS-T1-GE3

28 предложений от 12 поставщиков
Транзисторы - МОП-транзисторы
SI2306BDS-T1-GE3
Vishay
от 33 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SI2306BDS-T1-GE3 MOS()
Vishay
по запросу
727GS
Весь мир
SI2306BDS-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SI2306BDS-T1-GE3
Vishay
по запросу
Датчики давления азиатских производителей

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 4 А, TO-236

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 65 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2306BDST1GE3, SI2306BDS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2306BDS-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 30 V, 4 A, TO-236

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка