Реле Tianbo - ресурс 10 млн переключений

Datasheet SI2312BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит

Vishay SI2312BDS-T1-E3

Наименование модели: SI2312BDS-T1-E3

53 предложений от 25 поставщиков
Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NВес брутто: 0.04Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/50
727GS
Весь мир
SI2312BDS-T1-E3
Vishay
12 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SI2312BDS-T1-E3
Vishay
от 16 ₽
ЭИК
Россия
SI2312BDS-T1-E3
Vishay
от 32 ₽
SI2312BDS-T1-E3
Vishay
от 66 ₽

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 47 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 850 мВ
  • Корпус транзистора: SOT-23
  • Количество выводов: 3
  • Семейство: 2312
  • Current Id Max: 5 А
  • Тип корпуса: SOT-23
  • Power Dissipation Pd: 750µ Вт
  • Pulse Current Idm: 15 А
  • SMD Marking: M2
  • Способ монтажа: SMD
  • Voltage Vds Typ: 20 В
  • Voltage Vgs Max: 850 мВ
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
  • Voltage Vgs th Max: 0.85 В
  • Voltage Vgs th Min: 0.45 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2312BDST1E3, SI2312BDS T1 E3

На английском языке: Datasheet SI2312BDS-T1-E3 - Vishay MOSFET, N, SOT-23

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка