Datasheet SI2312BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SI2312BDS-T1-E3
 Купить SI2312BDS-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.40 до 66 ₽43 предложений от 22 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 20 В, 3.9 А, 0.025 Ом, SOT-23, Surface Mount | |||
| SI2312BDS-T1-E3 Vishay | 12 ₽ | ||
| SI2312BDS-T1-E3 Vishay | 12 ₽ | ||
| SI2312BDS-T1-E3 SOT-23-3 VISHAY транзистор | 132 ₽ | ||
| SI2312BDS-T1-E3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 47 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 850 мВ
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Семейство: 2312
- Current Id Max: 5 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 750µ Вт
- Pulse Current Idm: 15 А
- SMD Marking: M2
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 850 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 0.85 В
- Voltage Vgs th Min: 0.45 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2312BDST1E3, SI2312BDS T1 E3
