Datasheet SI2312BDS-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SI2312BDS-T1-E3
![]() 53 предложений от 25 поставщиков Транзисторы разные.Тип: MOSFETТип проводимости: NВес брутто: 0.04Транспортная упаковка: размер/кол-во: 60*50*50/50 | |||
SI2312BDS-T1-E3 Vishay | 12 ₽ | ||
SI2312BDS-T1-E3 Vishay | от 16 ₽ | ||
SI2312BDS-T1-E3 Vishay | от 32 ₽ | ||
SI2312BDS-T1-E3 Vishay | от 66 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 47 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 850 мВ
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Семейство: 2312
- Current Id Max: 5 А
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 750µ Вт
- Pulse Current Idm: 15 А
- SMD Marking: M2
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 850 мВ
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 0.85 В
- Voltage Vgs th Min: 0.45 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI2312BDST1E3, SI2312BDS T1 E3