Datasheet SI2316BDS-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 4.5 А, TO-236 — Даташит

Купить SI2316BDS-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 5.96 до 45 ₽ 29 предложений от 11 поставщиков Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 4.5A; Idm: 20A
AllElco Electronics Весь мир	SI2316BDS-T1-GE3	от 5.96 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI2316BDS-T1-GE3 Vishay	14 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SI2316BDS-T1-GE3 Vishay	14 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI2316BDS-T1-GE3 Vishay	от 37 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 4.5 А, TO-236

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si2316BDS
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
FEATURES PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.050 at VGS = 10 V 0.080 at VGS = 4.5 V ID (A)a 4.5 3.16 nC 3.4 Qg (Typ)

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 4.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 80 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2316BDST1GE3, SI2316BDS T1 GE3