Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SI2318DS-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI2318DS-T1-GE3

Наименование модели: SI2318DS-T1-GE3

36 предложений от 14 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
Maybo
Весь мир
SI2318DS-T1-GE3
Vishay
41 ₽
SI2318DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
SI2318DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SI2318DS-T1-GE3
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 36 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Power Dissipation Pd: 750 мВт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI2318DST1GE3, SI2318DS T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI2318DS-T1-GE3 - Vishay N CH MOSFET

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка