Контрактное производство электроники. Полный цикл работ

Datasheet SI3430DV-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI3430DV-T1-GE3

Наименование модели: SI3430DV-T1-GE3

35 предложений от 13 поставщиков
Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AllElco Electronics
Весь мир
SI3430DV-T1-GE3
от 13 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SI3430DV-T1-GE3
92 ₽
Hi-Tech Circuit Group
Весь мир
SI3430DV-T1-GE3
Vishay
по запросу
727GS
Весь мир
SI3430DV-T1-GE3
Vishay
по запросу
АЦП азиатских производителей. Часть 3. Многоканальные АЦП с синхронной выборкой

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.4 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 170 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
  • Power Dissipation Pd: 2 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3430DVT1GE3, SI3430DV T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI3430DV-T1-GE3 - Vishay N CH MOSFET

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка