Datasheet SI3430DV-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит

Купить SI3430DV-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 12 до 5 183 ₽ 25 предложений от 13 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы
ChipWorker Весь мир	SI3430DV-T1-GE3 Vishay	12 ₽	Купить
Триема Россия	SI3430DV-T1-GE3 Vishay	66 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI3430DV-T1-GE3 Vishay	69 ₽	Купить
ЭИК Россия	SI3430DV-T1-GE3	от 88 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CH полевой транзистор

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.4 А
• Drain Source Voltage Vds: 100 В
• On Resistance Rds(on): 170 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI3430DVT1GE3, SI3430DV T1 GE3