Datasheet SI3458BDV-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI3458BDV-T1-GE3
![]() 26 предложений от 12 поставщиков Труба MOS, MOSFET, N-Ch, Vds 60V, Vgs +/- 20V, Rds(on) 82mohm, Id 3.2A, TSOP-6, Pd 2W | |||
SI3458BDV-T1-GE3 Vishay | от 59 ₽ | ||
SI3458BDV-T1-GE3 Vishay | от 59 ₽ | ||
SI3458BDV-T1-GE3 Vishay | от 63 ₽ | ||
SI3458BDV-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CH полевой транзистор
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 82 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Power Dissipation Pd: 2 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3458BDVT1GE3, SI3458BDV T1 GE3