Datasheet SI3460DV-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 6.8 А — Даташит
Наименование модели: SI3460DV-T1-GE3
![]() 16 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 20V 5.1A 6Pin TSOP T/R | |||
SI3460DV-T1-GE3 Vishay | 53 ₽ | ||
SI3460DV-T1-GE3 Vishay | 53 ₽ | ||
SI3460DV-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI3460DV-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 6.8 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 27 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 450 мВ
RoHS: есть
Варианты написания:
SI3460DVT1GE3, SI3460DV T1 GE3