Миграция проектов на ПЛИС новых производителей

Datasheet SI4410BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI4410BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4410BDY-T1-GE3

16 предложений от 10 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8Pin SOIC N T/R
AiPCBA
Весь мир
SI4410BDY-T1-GE3
Vishay
38 ₽
Maybo
Весь мир
SI4410BDY-T1-GE3
Vishay
64 ₽
Элитан
Россия
SI4410BDY-T1-GE3
Vishay
119 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SI4410BDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Инновационные элементы питания GP: зарядись энергией в КОМПЭЛ!

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CH полевой транзистор

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4410BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0135 at VGS = 10 V 0.020 at VGS = 4.5 V ID (A) 10 8

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 10 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 20 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Power Dissipation Pd: 2.5 Вт

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4410BDYT1GE3, SI4410BDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4410BDY-T1-GE3 - Vishay N CH MOSFET

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка