Datasheet SI4410BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI4410BDY-T1-GE3
![]() 17 предложений от 11 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 7.5A 8Pin SOIC N T/R | |||
SI4410BDY-T1-GE3 Vishay | 31 ₽ | ||
SI4410BDY-T1-GE3 Vishay | 39 ₽ | ||
SI4410BDY-T1-GE3 Vishay | от 76 ₽ | ||
SI4410BDY-T1-GE3 Vishay | 807 ₽ |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CH полевой транзистор
Краткое содержание документа:
Si4410BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0135 at VGS = 10 V 0.020 at VGS = 4.5 V ID (A) 10 8
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 20 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4410BDYT1GE3, SI4410BDY T1 GE3