Datasheet SI4420BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 13.5 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4420BDY-T1-GE3
![]() 22 предложений от 11 поставщиков Trans Mosfet N-ch 30V 9.5A 8-PIN SOIC N T/r | |||
SI4420BDY-T1-GE3 Vishay | 57 ₽ | ||
SI4420BDY-T1-GE3 Vishay | от 144 ₽ | ||
SI4420BDYT1GE3 | 5 677 ₽ | ||
SI4420BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 13.5 А, SOIC
Краткое содержание документа:
Si4420BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0085 at VGS = 10 V 0.0110 at VGS = 4.5 V ID (A) 13.5 11
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 13.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 11 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4420BDYT1GE3, SI4420BDY T1 GE3