Datasheet SI4430BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 20 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4430BDY-T1-GE3
![]() 16 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, MOSFET 30V 20A 3W 4.5mohm @ 10V | |||
SI4430BDY-T1-GE3 Vishay | 82 ₽ | ||
SI4430BDY-T1-GE3 Vishay | 149 ₽ | ||
SI4430BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4430BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 20 А, SOIC
Краткое содержание документа:
Si4430BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0045 at VGS = 10 V 0.006 at VGS = 4.5 V ID (A) 20 17 Qg (Typ.) 24
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 20 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4430BDYT1GE3, SI4430BDY T1 GE3