LinTai: качественные китайские корпуса и каркасы

Datasheet SI4446DY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 40 В, 3.9 А, POWERPAK — Даташит

Vishay SI4446DY-T1-E3

Наименование модели: SI4446DY-T1-E3

10 предложений от 7 поставщиков
VISHAY SILICONIX SI4446DY-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 3.9 A, 40 V, 0.033 ohm, 10 V, 1.6 V
AiPCBA
Весь мир
SI4446DY-T1-E3
Vishay
32 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4446DY-T1-E3
Vishay
32 ₽
Acme Chip
Весь мир
Si4446DY-T1-E3
Vishay
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4446DY-T1-E3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N CH, 40 В, 3.9 А, POWERPAK

data sheetСкачать Data Sheet

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 3.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 0.033 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 1.1 Вт
  • RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4446DYT1E3, SI4446DY T1 E3

На английском языке: Datasheet SI4446DY-T1-E3 - Vishay MOSFET, N CH, 40 V, 3.9 A, POWERPAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России