Datasheet SI4446DY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI4446DY-T1-GE3
![]() 9 предложений от 9 поставщиков Труба MOS, MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC | |||
SI4446DY-T1-GE3 Vishay | 19 ₽ | ||
SI4446DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4446DY-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI4446DY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CH полевой транзистор
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 3.9 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 33 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
- Power Dissipation Pd: 1.1 Вт
RoHS: есть
Варианты написания:
SI4446DYT1GE3, SI4446DY T1 GE3