Поставки продукции Nuvoton по официальным каналам

Datasheet SI4446DY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI4446DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4446DY-T1-GE3

9 предложений от 9 поставщиков
Труба MOS, MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
ChipWorker
Весь мир
SI4446DY-T1-GE3
Vishay
19 ₽
SI4446DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4446DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
727GS
Весь мир
SI4446DY-T1-GE3
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 33 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
  • Power Dissipation Pd: 1.1 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4446DYT1GE3, SI4446DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4446DY-T1-GE3 - Vishay N CH MOSFET

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка