HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI4446DY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI4446DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4446DY-T1-GE3

6 предложений от 6 поставщиков
MOSFET N-CH 40V 3.9A 8-SOIC
AiPCBA
Весь мир
SI4446DY-T1-GE3
Vishay
58 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4446DY-T1-GE3
Vishay
60 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4446DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Acme Chip
Весь мир
SI4446DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 33 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.6 В
  • Power Dissipation Pd: 1.1 Вт

RoHS: есть

Варианты написания:

SI4446DYT1GE3, SI4446DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4446DY-T1-GE3 - Vishay N CH MOSFET

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России