HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI4456DY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 33 А, SOIC — Даташит

Vishay SI4456DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4456DY-T1-GE3

8 предложений от 5 поставщиков
MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC
Akcel
Весь мир
SI4456DY-T1-GE3
Vishay
от 58 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI4456DY-T1-GE3
Vishay
112 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4456DY-T1-GE3
Vishay
113 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
SI4456DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 33 А, SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4456DY
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0038 at VGS = 10 V 0.0045 at VGS = 4.5 V ID (A)a 33 31 Qg (Typ.) 37.5 nC

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 3.3 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 4.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.8 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4456DYT1GE3, SI4456DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4456DY-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 40 V, 33 A, SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России