Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet SI4686DY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 18.2 А, SOIC — Даташит

Vishay SI4686DY-T1-GE3

Наименование модели: SI4686DY-T1-GE3

22 предложений от 11 поставщиков
N-Channel 30 V 18.2A (Tc) 3W (Ta), 5.2W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
Akcel
Весь мир
SI4686DY-T1-GE3
Vishay
от 42 ₽
AiPCBA
Весь мир
SI4686DY-T1-GE3
Vishay
67 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI4686DY-T1-GE3
Vishay
84 ₽
Acme Chip
Весь мир
SI4686DY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 18.2 А, SOIC

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 18.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 14 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4686DYT1GE3, SI4686DY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4686DY-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 30 V, 18.2 A, SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России