Источники питания KEEN SIDE

Datasheet SI4800BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC — Даташит

Vishay SI4800BDY-T1-GE3

Наименование модели: SI4800BDY-T1-GE3

31 предложений от 14 поставщиков
Транзистор полевой N-канальный 30В 6.5A
AllElco Electronics
Весь мир
SI4800BDY-T1-GE3
от 9.30 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SI4800BDY-T1-GE3
Vishay
от 28 ₽
ЗУМ-СМД
Россия
SI4800BDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SI4800BDY-T1-GE3
Vishay
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 9 А, SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si4800BDY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0185 at VGS = 10 V 0.030 at VGS = 4.5 V ID (A) 9 7

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 30 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 25 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 25 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI4800BDYT1GE3, SI4800BDY T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI4800BDY-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 30 V, 9 A, SOIC

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка