Datasheet SI4842BDY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 28 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI4842BDY-T1-GE3
![]() 25 предложений от 12 поставщиков Полевые транзисторы - Одиночные | |||
SI4842BDY-T1-GE3 Vishay | 89 ₽ | ||
SI4842BDY-T1-GE3 Vishay | 125 ₽ | ||
SI4842BDY-T1-GE3 Vishay | от 434 ₽ | ||
SI4842BDY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 28 А, SOIC
Краткое содержание документа:
Si4842BDY
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0042 at VGS = 10 V 0.0057 at VGS = 4.5 V ID (A)a 28 29 nC 24 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 28 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 5.7 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 20 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4842BDYT1GE3, SI4842BDY T1 GE3