Datasheet SI4890DY-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 11 А — Даташит
Наименование модели: SI4890DY-T1-GE3
![]() 9 предложений от 8 поставщиков Труба MOS, MOSFET 30V 11A 2.5W 12mohm @ 10V | |||
SI4890DY-T1-GE3 Vishay | 118 ₽ | ||
SI4890DY-T1-GE3 Vishay | от 418 ₽ | ||
SI4890DY-T1-GE3 | по запросу | ||
SI4890DY-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 11 А
Краткое содержание документа:
Si4890DY
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.012 at VGS = 10 V 0.020 at VGS = 4.5 V ID (A) ± 11 ±9
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 11 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 20 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 10 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI4890DYT1GE3, SI4890DY T1 GE3