Datasheet SI5402BDC-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 6.1 А — Даташит
Наименование модели: SI5402BDC-T1-GE3
6 предложений от 6 поставщиков N-Channel 30 V 4.9A (Ta) 1.3W (Ta) Surface Mount 1206-8 ChipFETTM,https://www.flash-turtle.com/product/product/download?url=VnU1V3ptQ3JZTU5PTEpIMFRKRkh4YzVOWGs4cFoybzN6cjllYjNTbG8vUjRadjVZOWZpbE8xNnB3NUY2cVYzUlVzUk9YNHVmUFlqaVdBNU9VRmNqUGM1QS9lQjIwT0pTMkVGUDkwSjBxUkU9,https://www.flash-turtle.com/productdetail/vishay-siliconix-si5402bdc-t1-ge3-2441681 Vishay Siliconix SI5419DU-T1-GE3 | |||
| SI5402BDC-T1-GE3 Vishay | 35 ₽ | ||
| SI5402BDC-T1-GE3 Vishay | 35 ₽ | ||
| SI5402BDC-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
| SI5402BDC-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 6.1 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 42 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SI5402BDCT1GE3, SI5402BDC T1 GE3
