На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet SI5404BDC-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 7.5 А, 1206 — Даташит

Vishay SI5404BDC-T1-GE3

Наименование модели: SI5404BDC-T1-GE3

6 предложений от 6 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-Pin Chip FET T/R
AiPCBA
Весь мир
SI5404BDC-T1-GE3
Vishay
5.21 ₽
ChipWorker
Весь мир
SI5404BDC-T1-GE3
Vishay
37 ₽
Akcel
Весь мир
SI5404BDC-T1-GE3
Vishay
по запросу
SI5404BDC-T1-GE3
Vishay
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 7.5 А, 1206

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si5404BDC
Vishay Siliconix
N-Channel 2.5-V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 20 RDS(on) () 0.028 at VGS = 4.5 V 0.039 at VGS = 2.5 V ID (A) 7.5 6.3 Qg (Typ.) 6.3

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 7.5 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 39 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 2.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.5 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SI5404BDCT1GE3, SI5404BDC T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI5404BDC-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 20 V, 7.5 A, 1206

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России