Datasheet SI5406DC-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 12 В, 9.5 А — Даташит
Наименование модели: SI5406DC-T1-GE3
![]() 9 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 12V 6.9A 1206-8 | |||
SI5406DC-T1-GE3 Vishay | 37 ₽ | ||
SI5406DC-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI5406DC-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI5406DC-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 12 В, 9.5 А
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 9.5 А
- Drain Source Voltage Vds: 12 В
- On Resistance Rds(on): 20 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 600 мВ
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- WAKEFIELD SOLUTIONS - 217-36CTRE6
Варианты написания:
SI5406DCT1GE3, SI5406DC T1 GE3