HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet SI7138DP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 30 А, SOIC — Даташит

Vishay SI7138DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7138DP-T1-GE3

N-Channel 60 V 30A (Tc) 5.4W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
LifeElectronics
Россия
SI7138DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Acme Chip
Весь мир
SI7138DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
T-electron
Россия и страны СНГ
SI7138DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Flash-Turtle
Весь мир
SI7138DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 30 А, SOIC

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 30 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 7.8 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7138DPT1GE3, SI7138DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7138DP-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 60 V, 30 A, SOIC

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России