Datasheet SI7386DP-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N CH, 30 В, 12 А, POWERPAK — Даташит
Наименование модели: SI7386DP-T1-E3
![]() 33 предложений от 18 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SI7386DP-T1-E3 Vishay | 104 ₽ | ||
SI7386DP-T1-E3 Vishay | от 131 ₽ | ||
SI7386DP-T1-E3 Vishay | от 140 ₽ | ||
SI7386DP-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N CH, 30 В, 12 А, POWERPAK
Краткое содержание документа:
Si7386DP
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.007 at VGS = 10 V 0.0095 at VGS = 4.5 V ID (A) 19 17 Qg (Typ.) 11.5
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 12 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 0.0058 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2 В
- Количество выводов: 8
- Корпус транзистора: PowerPAKSO-8
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Рассеиваемая мощность: 1.8 Вт
- RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7386DPT1E3, SI7386DP T1 E3