Линейка продуктов KEEN SIDE

Datasheet SI7386DP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 19 А, SOIC — Даташит

Vishay SI7386DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7386DP-T1-GE3

30 предложений от 14 поставщиков
Транзисторы - МОП-транзисторы
Maybo
Весь мир
SI7386DP-T1-GE3
Vishay
88 ₽
Эиком
Россия
SI7386DP-T1-GE3
Vishay
от 145 ₽
TradeElectronics
Россия
SI7386DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
727GS
Весь мир
SI7386DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 19 А, SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7386DP
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.007 at VGS = 10 V 0.0095 at VGS = 4.5 V ID (A) 19 17 Qg (Typ.) 11.5

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 19 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 9.5 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7386DPT1GE3, SI7386DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7386DP-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 30 V, 19 A, SOIC

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка