Datasheet SI7386DP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 19 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7386DP-T1-GE3
![]() 29 предложений от 13 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SI7386DP-T1-GE3 Vishay | 56 ₽ | ||
SI7386DP-T1-GE3 Vishay | 86 ₽ | ||
SI7386DP-T1-GE3 Vishay | 98 ₽ | ||
SI7386DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 19 А, SOIC
Краткое содержание документа:
Si7386DP
Vishay Siliconix
N-Channel Reduced Qg, Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.007 at VGS = 10 V 0.0095 at VGS = 4.5 V ID (A) 19 17 Qg (Typ.) 11.5
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 19 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On Resistance Rds(on): 9.5 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 2.5 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7386DPT1GE3, SI7386DP T1 GE3