Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SI7476DP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 25 А, SOIC — Даташит

Vishay SI7476DP-T1-GE3

Наименование модели: SI7476DP-T1-GE3

7 предложений от 6 поставщиков
MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC
TradeElectronics
Россия
SI7476DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Augswan
Весь мир
SI7476DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Maybo
Весь мир
SI7476DP-T1-GE3
Vishay
по запросу
AllElco Electronics
Весь мир
SI7476DP-T1-GE3
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 25 А, SOIC

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7476DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0053 at VGS = 10 V 0.0066 at VGS = 4.5 V ID (A) 25 23

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 25 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 5.3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7476DPT1GE3, SI7476DP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7476DP-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 40 V, 25 A, SOIC

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка