Datasheet SI7476DP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 25 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7476DP-T1-GE3
7 предложений от 6 поставщиков MOSFET N-CH 40V 15A PPAK 8SOIC | |||
SI7476DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7476DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7476DP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7476DP-T1-GE3 | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 40 В, 25 А, SOIC
Краткое содержание документа:
Si7476DP
Vishay Siliconix
N-Channel 40-V (D-S) Fast Switching MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 40 RDS(on) () 0.0053 at VGS = 10 V 0.0066 at VGS = 4.5 V ID (A) 25 23
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 25 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 5.3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7476DPT1GE3, SI7476DP T1 GE3