Datasheet SI7478DP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 20 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7478DP-T1-GE3
![]() 31 предложений от 14 поставщиков Транзисторы - МОП-транзисторы | |||
SI7478DP-T1-GE3 Vishay | 96 ₽ | ||
SI7478DP-T1-GE3 Vishay | 120 ₽ | ||
Si7478DP-T1-GE3 Vishay | 135 ₽ | ||
SI7478DP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 60 В, 20 А, SOIC
Краткое содержание документа:
Si7478DP
Vishay Siliconix
N-Channel 60-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 60 RDS(on) () 0.0075 at VGS = 10 V 0.0088 at VGS = 4.5 V ID (A) 20 18.5
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 20 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 8.8 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7478DPT1GE3, SI7478DP T1 GE3