Datasheet SI7686DP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 35 А, SOIC — Даташит

Купить SI7686DP-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 19 до 626 ₽ 36 предложений от 15 поставщиков Дискретные полупроводники Транзисторы — полевые — одиночные
AiPCBA Весь мир	SI7686DP-T1-GE3 Vishay	78 ₽	Купить
Зенер Россия и страны ТС	SI7686DP-T1-GE3 Vishay	от 119 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	SI7686DP-T1-GE3 Vishay	от 129 ₽	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SI7686DP-T1-GE3	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 30 В, 35 А, SOIC

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si7686DP
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 30 RDS(on) () 0.0095 at VGS = 10 V 0.014 at VGS = 4.5 V ID (A)a 35 35 Qg (Typ.) 9.2 nC

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 35 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 14 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7686DPT1GE3, SI7686DP T1 GE3