Datasheet SI7858ADP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 12 В, 20 А — Даташит
Наименование модели: SI7858ADP-T1-GE3
![]() 18 предложений от 10 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI7858ADP-T1-GE3 MOSFET Transistor, N Channel, 20A, 12V, 2.6mohm, 4.5V, 950mV | |||
SI7858ADP-T1-GE3 Vishay | 79 ₽ | ||
SI7858ADP-T1-GE3 Vishay | от 257 ₽ | ||
SI7858ADP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7858ADP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 12 В, 20 А
Краткое содержание документа:
Si7858ADP
Vishay Siliconix
N-Channel 12-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) 12 RDS(on) () 0.0026 at VGS = 4.5 V 0.0037 at VGS = 2.5 V ID (A) 29 54 23 Qg (Typ.)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 20 А
- Drain Source Voltage Vds: 12 В
- On Resistance Rds(on): 2.6 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 950 мВ
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7858ADPT1GE3, SI7858ADP T1 GE3