Datasheet SI7866ADP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит
Наименование модели: SI7866ADP-T1-GE3
![]() 13 предложений от 10 поставщиков Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R / MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8 | |||
SI7866ADP-T1-GE3 Vishay | 55 ₽ | ||
SI7866ADP-T1-GE3 | по запросу | ||
SI7866ADP-T1-GE3 Vishay | по запросу | ||
SI7866ADP-T1-GE3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CH полевой транзистор
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 40 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 3 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 800 мВ
- Power Dissipation Pd: 5.4 Вт
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7866ADPT1GE3, SI7866ADP T1 GE3