Контрактное производство и проектные поставки для российских производителей электроники

Datasheet SI7866ADP-T1-GE3 - Vishay Даташит N CH полевой транзистор — Даташит

Vishay SI7866ADP-T1-GE3

Наименование модели: SI7866ADP-T1-GE3

13 предложений от 10 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 20V 35A 8-Pin PowerPAK SO EP T/R / MOSFET N-CH 20V 40A PPAK SO-8
ChipWorker
Весь мир
SI7866ADP-T1-GE3
Vishay
55 ₽
AllElco Electronics
Весь мир
SI7866ADP-T1-GE3
по запросу
SI7866ADP-T1-GE3
Vishay
по запросу
Lixinc Electronics
Весь мир
SI7866ADP-T1-GE3
Vishay
по запросу
ХРОНИКИ РОСТА: причины увеличения доли китайских полупроводниковых компонентов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CH полевой транзистор

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 40 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 3 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 800 мВ
  • Power Dissipation Pd: 5.4 Вт

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7866ADPT1GE3, SI7866ADP T1 GE3

На английском языке: Datasheet SI7866ADP-T1-GE3 - Vishay N CH MOSFET

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка