Клеммы, реле, разъемы Degson со склада в России

Datasheet SI7898DP-T1-E3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 4.8 А, SOIC — Даташит

Vishay SI7898DP-T1-E3

Наименование модели: SI7898DP-T1-E3

32 предложений от 16 поставщиков
Труба MOS, VISHAY SI7898DP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 4.8A, 150V, 95mohm, 20V, 4V
ChipWorker
Весь мир
SI7898DP-T1-E3
Vishay
42 ₽
Lixinc Electronics
Весь мир
SI7898DP-T1-E3
Vishay
от 78 ₽
Контест
Россия
SI7898DP-T1-E3
Siliconix
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
SI7898DP-T1-E3
Vishay
по запросу
SiC-компоненты от ведущих китайских производителей

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 4.8 А, SOIC

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 4.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 150 В
  • On Resistance Rds(on): 95 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В

RoHS: Y-Ex

Варианты написания:

SI7898DPT1E3, SI7898DP T1 E3

На английском языке: Datasheet SI7898DP-T1-E3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 150 V, 4.8 A, SOIC

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка