Datasheet SI7898DP-T1-E3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 4.8 А, SOIC — Даташит
Наименование модели: SI7898DP-T1-E3
![]() 32 предложений от 16 поставщиков Труба MOS, VISHAY SI7898DP-T1-E3 MOSFET Transistor, N Channel, 4.8A, 150V, 95mohm, 20V, 4V | |||
SI7898DP-T1-E3 Vishay | 42 ₽ | ||
SI7898DP-T1-E3 Vishay | от 78 ₽ | ||
SI7898DP-T1-E3 Siliconix | по запросу | ||
SI7898DP-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 150 В, 4.8 А, SOIC
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 4.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 150 В
- On Resistance Rds(on): 95 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
SI7898DPT1E3, SI7898DP T1 E3