Datasheet SIA456DJ-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 2.6 А, SC-70 — Даташит
Наименование модели: SIA456DJ-T1-GE3
![]() 36 предложений от 14 поставщиков Силовой МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал, 200 В, 2.6 А, 1.08 Ом, SC-70, Surface Mount | |||
SIA456DJ-T1-GE3 Vishay | от 25 ₽ | ||
SIA456DJ-T1-GE3 Vishay | от 66 ₽ | ||
SIA456DJ-T1-GE3 Vishay | от 67 ₽ | ||
SIA456DJ-T1-GE3 TE Connectivity | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 2.6 А, SC-70
Краткое содержание документа:
New Product
SiA456DJ
Vishay Siliconix
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.6 А
- Drain Source Voltage Vds: 200 В
- On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 16 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В
RoHS: есть
Варианты написания:
SIA456DJT1GE3, SIA456DJ T1 GE3