Datasheet SIA456DJ-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 2.6 А, SC-70 — Даташит

Купить SIA456DJ-T1-GE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 13 до 218 ₽ 25 предложений от 11 поставщиков Силовой МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал, 200 В, 2.6 А, 1.08 Ом, SC-70, Surface Mount
AiPCBA Весь мир	SIA456DJ-T1-GE3 Vishay	13 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	SIA456DJ-T1-GE3 Vishay	18 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	SIA456DJ-T1-GE3 Vishay	46 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SIA456DJ-T1-GE3 Vishay	54 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 2.6 А, SC-70

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiA456DJ
Vishay Siliconix
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 2.6 А
• Drain Source Voltage Vds: 200 В
• On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 16 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIA456DJT1GE3, SIA456DJ T1 GE3