Смарт-ЭК - поставщик алюминиевых корпусов LinTai

Datasheet SIA456DJ-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 2.6 А, SC-70 — Даташит

Vishay SIA456DJ-T1-GE3

Наименование модели: SIA456DJ-T1-GE3

36 предложений от 14 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, типа TrenchFET, N Канал, 200 В, 2.6 А, 1.08 Ом, SC-70, Surface Mount
727GS
Весь мир
SIA456DJ-T1-GE3
Vishay
от 25 ₽
SIA456DJ-T1-GE3
Vishay
от 66 ₽
ЭИК
Россия
SIA456DJ-T1-GE3
Vishay
от 67 ₽
SIA456DJ-T1-GE3
TE Connectivity
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 200 В, 2.6 А, SC-70

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
New Product
SiA456DJ
Vishay Siliconix
N-Channel 200-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Данные для моделированияДанные для моделирования

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 2.6 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On Resistance Rds(on): 3.5 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 16 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.4 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIA456DJT1GE3, SIA456DJ T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIA456DJ-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 200 V, 2.6 A, SC-70

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка