На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet SIB422EDK-T1-GE3 - Vishay Даташит N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 9 А — Даташит

Наименование модели: SIB422EDK-T1-GE3

21 предложений от 10 поставщиков
N-Channel 20 V 9A (Tc) 2.5W (Ta), 13W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SC-75-6
AiPCBA
Весь мир
SIB422EDK-T1-GE3
Vishay
14 ₽
ChipWorker
Весь мир
SIB422EDK-T1-GE3
Vishay
28 ₽
Acme Chip
Весь мир
SIB422EDK-T1-GE3
Vishay
по запросу
ЗУМ-СМД
Россия
SIB422EDK-T1-GE3
Vishay
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: N CHANNEL полевой транзистор, 20 В, 9 А

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 9 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 30 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В

RoHS: есть

Варианты написания:

SIB422EDKT1GE3, SIB422EDK T1 GE3

На английском языке: Datasheet SIB422EDK-T1-GE3 - Vishay N CHANNEL MOSFET, 20 V, 9 A

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России