Datasheet SI9410BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит
Наименование модели: SI9410BDY
![]() 21 предложений от 19 поставщиков Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8Pin SOIC N T/R | |||
SI9410BDY-T1-E3 Vishay | 92 ₽ | ||
SI9410BDY Vishay | 189 ₽ | ||
SI9410BDY-T1 Siliconix | по запросу | ||
SI9410BDY-T1-E3 Vishay | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SO-8
Краткое содержание документа:
Si9410BDY
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 6.2 А
- Drain Source Voltage Vds: 30 В
- On State Resistance: 24 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 20 В
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- Current Id Max: 6.2 А
- Fall Time tf: 11 нс
- Температура перехода максимальная: 150°C
- Температура перехода минимальная: -55°C
- N-channel Gate Charge: 15nC
- Количество транзисторов: 1
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 33 МОм
- On State resistance @ Vgs = 10V: 24 МОм
- Тип корпуса: SOIC
- Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
- Pulse Current Idm: 30 А
- Rise Time: 15 нс
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
- Время выключения: 30 нс
- Время включения: 10 нс
- Voltage Vds Typ: 30 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5