Источники питания Keen Side

Datasheet SI9410BDY - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Vishay SI9410BDY

Наименование модели: SI9410BDY

21 предложений от 19 поставщиков
Труба MOS, Trans MOSFET N-CH 30V 6.2A 8Pin SOIC N T/R
Элитан
Россия
SI9410BDY-T1-E3
Vishay
92 ₽
Контест
Россия
SI9410BDY
Vishay
189 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
SI9410BDY-T1
Siliconix
по запросу
Augswan
Весь мир
SI9410BDY-T1-E3
Vishay
по запросу

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si9410BDY
New Product
Vishay Siliconix
N-Channel 30-V (D-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 6.2 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On State Resistance: 24 МОм
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Voltage Vgs Max: 20 В
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: SOIC
  • Количество выводов: 8
  • Current Id Max: 6.2 А
  • Fall Time tf: 11 нс
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Температура перехода минимальная: -55°C
  • N-channel Gate Charge: 15nC
  • Количество транзисторов: 1
  • On State Resistance @ Vgs = 4.5V: 33 МОм
  • On State resistance @ Vgs = 10V: 24 МОм
  • Тип корпуса: SOIC
  • Power Dissipation Pd: 1.5 Вт
  • Pulse Current Idm: 30 А
  • Rise Time: 15 нс
  • Способ монтажа: SMD
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
  • Время выключения: 30 нс
  • Время включения: 10 нс
  • Voltage Vds Typ: 30 В
  • Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Dow Corning - 2265931
  • Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
  • Fischer Elektronik - WLK 5

На английском языке: Datasheet SI9410BDY - Vishay MOSFET, N, SO-8

ТМ Электроникс. Электронные компоненты и приборы. Скидки, кэшбэк и бесплатная доставка