Datasheet SI1012R - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SC-75A — Даташит

Купить SI1012R на РадиоЛоцман.Цены — от 4.10 до 142 ₽ 44 предложений от 22 поставщиков Труба MOS, TRANSISTOR 500mA, 20V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, SC-75A, 3Pin, FET General Purpose Small...
ТМ Электроникс Россия	SI1012R-T1-GE3 Vishay	от 41 ₽	Купить
ЧипСити Россия	SI1012R-T1-GE3 Vishay	74 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	TRAN-FET,SI1012R,NLF,SC	по запросу	Купить
Океан Электроники Россия	SI1012R_05 Vishay	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SC-75A

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Si1012R/X
Vishay Siliconix
N-Channel 1.8 V (G-S) MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V) RDS(on) () 0.70 at VGS = 4.5 V 20 0.85 at VGS = 2.5 V 1.25 at VGS = 1.8 V ID (mA) 600 500 350

Данные для моделирования

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 500 мА
• Drain Source Voltage Vds: 20 В
• On Resistance Rds(on): 1.25 Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 900 мВ
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SC-75
• Current Id Max: 500 мА
• ESD HBM: 2 кВ
• External Depth: 1.7 мм
• Внешняя длина / высота: 0.8 мм
• Внешняя ширина: 1.6 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Тип корпуса: SC-75
• Power Dissipation Pd: 150 мВт
• Рассеиваемая мощность максимальная: 150 Вт
• Pulse Current Idm: 1 А
• SMD Marking: C
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 20 В
• Voltage Vgs Max: 6 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 1.8 В
• Voltage Vgs th Min: 0.45 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• LICEFA - V11-7-6-10
• LICEFA - V11-7
• Roth Elektronik - RE901