Datasheet SI2302ADS - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SOT-23 — Даташит
Наименование модели: SI2302ADS
![]() 28 предложений от 21 поставщиков Труба MOS канала N, Trans MOSFET N-CH 20V 2.1A 3Pin SOT-23 T/R | |||
SI2302ADS-T1 Vishay | 21 ₽ | ||
SI2302ADS-E3 | по запросу | ||
SI2302ADS-E3 MCC | по запросу | ||
SI2302ADS-T1-E3(01 MCC | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Vishay
Описание: Полевой транзистор, N, SOT-23
Краткое содержание документа:
Si2302ADS
Vishay Siliconix
N-Channel 1.25-W, 2.5-V MOSFET
PRODUCT SUMMARY
VDS (V)
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 2.1 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 60 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 950 мВ
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+150°C
- Корпус транзистора: SOT-23
- Количество выводов: 3
- Current Id Max: 2.1 А
- Current Temperature: 25°C
- Маркировка: SI2302ADS
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- On State Resistance @ Vgs = 2.5V N Channel: 115 МОм
- On State Resistance @ Vgs = 4.5V N Channel: 60 МОм
- On State Resistance Max: 60 МОм
- Выходная мощность: 700 мВт
- Тип корпуса: SOT-23
- Power Dissipation Pd: 700 мВт
- Рассеиваемая мощность максимальная: 700 мВт
- Pulse Current Idm: 10 А
- SMD Marking: 2 А
- Способ монтажа: SMD
- Voltage Vds: 20 В
- Voltage Vds Typ: 20 В
- Voltage Vgs Max: 8 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 4.5 В
- Voltage Vgs th Max: 1.2 В
- Voltage Vgs th Min: 0.65 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- International Rectifier - IRLML6244TRPBF
- International Rectifier - IRLML6246TRPBF
- Vishay - SI2302ADS-T1-E3