Datasheet SI4894BDY-T1-E3 - Vishay Даташит Полевой транзистор, N, SO-8 — Даташит

Купить SI4894BDY-T1-E3 на РадиоЛоцман.Цены — от 48 до 493 ₽ 34 предложений от 18 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 9,5А; 2,5Вт; SO8
ЧипСити Россия	SI4894BDY-T1-E3 Vishay	48 ₽	Купить
AiPCBA Весь мир	SI4894BDY-T1-E3 Vishay	51 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	SI4894BDY-T1-E3 Vishay	81 ₽	Купить
LIXINC Electronics Весь мир	SI4894BDY-T1-E3 Vishay	от 493 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: Vishay

Описание: Полевой транзистор, N, SO-8

Скачать Data Sheet

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 12 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 11 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SOIC
• Current Id Max: 8.9 А
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Тип корпуса: SOIC-8
• Power Dissipation Pd: 1.4 Вт
• Rise Time: 10 нс
• Способ монтажа: SMD
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 20 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
• Voltage Vgs th Max: 3 В
• Voltage Vgs th Min: 1 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• International Rectifier - IRF8714PBF
• Panasonic - EYGA091203SM
• Panasonic - EYGA121807A

Варианты написания:

SI4894BDYT1E3, SI4894BDY T1 E3